Las exportaciones de módulos chinos representan alrededor del 80% del total mundial. Europa lidera el crecimiento con un aumento interanual de las exportaciones chinas del 47% (21 GW más interanuales).
Jenny Chase, de BloombergNEF, y Rebecca McManus, de Aurora Energy Research, hablan con pv magazine sobre las tendencias del mercado financiero para las empresas solares y de las turbulencias que genera el exceso de oferta.
La presidenta de la Comisión Europea, Ursula von der Leyen, dijo esta semana en el Discurso sobre el Estado de la Unión 2023 que los fabricantes europeos de energía solar se enfrentan a una dura competencia de rivales chinos fuertemente subvencionados y señaló que el bloque está iniciando una investigación antisubvenciones sobre los vehículos eléctricos procedentes de ese país.
El presidente de Longi, Zhong Baoshen, afirmó la semana pasada que la tecnología de contacto posterior pasivado híbrido (HPBC) de la empresa dominará su capacidad de producción en el futuro.
Samsung afirma que su nuevo producto es capaz de proporcionar agua caliente sanitaria de hasta 75 ºC cuando la temperatura exterior oscila entre -10 ºC y 35 ºC. Se basa en un intercambiador de calor ampliado que, según la empresa, es capaz de transferir más calor en comparación con una unidad exterior convencional.
Mondragon Assembly ya ha presentado dos demandas por infracción ante tribunales chinos, que se han saldado ambas con una sentencia favorable al grupo vasco.
REC ha desarrollado una nueva serie de paneles solares de heterounión con eficiencias de hasta el 22,6% y un coeficiente de temperatura de funcionamiento de -0,24% por grado Celsius.
Al final de cada semana, pv magazine resume en español noticias importantes acaecidas en los últimos 7 días y publicadas en diferentes portales del grupo.
En su reporte del tercer cuatrimestre de 2023, Bloomberg New Energy Finance (BNEF) incluye a Sunova Solar en la lista de fabricantes de módulos Tier 1.
Toshiba ha desarrollado un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) de 2.200 V para inversores y sistemas de almacenamiento de energía, con el fin de ayudar a los fabricantes de inversores a reducir el tamaño y el peso de sus productos.
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