Das Solar bate el récord de tensión en circuito abierto de 742 mV para una célula solar de tipo n

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La empresa china DAS Solar afirma haber logrado un récord mundial de tensión en circuito abierto de 742 mV para una célula solar de tipo n basada en la tecnología de célula de contacto pasivado de óxido de túnel (TOPCon), con una eficiencia de conversión de potencia del 26,33%.

El Centro Nacional de Medición y Ensayo de la Industria Fotovoltaica de China (NPVM) ha confirmado el resultado.

“Este logro bate el récord de mayor tensión en circuito abierto de células solares de homojunción de silicio cristalino”, afirma la empresa en un comunicado. El anterior récord mundial, de 735 mV, lo había registrado Das Solar en diciembre.

La célula tiene una superficie de 333,4 cm2 y se basa en contactos pasivantes de polisilicio y monóxido de silicio (SiOx) que reducen la recombinación de portadores en la interfaz metal/silicio, mejorando así la corriente de cortocircuito y el factor de llenado.

“El equipo de I+D de DAS Solar ha mejorado constantemente la tensión en circuito abierto de las células TOPCon, pasando de 701 mV con TOPCon1.0 a 742 mV con TOPCon4.0 Plus. Una estructura de pasivación perfecta en la célula sustenta su capacidad para alcanzar una alta tensión en circuito abierto. Se espera que la tecnología TOPCon avance hacia su límite teórico del 28,7% en un futuro próximo”, ha declarado Song Dengyuan, director de tecnología de DAS Solar.

Das Solar tiene su sede en la ciudad de Quzhou, provincia de Zhejiang, y cuenta actualmente con una capacidad anual de módulos solares TOPCon de 30 GW. Sus dos mayores accionistas son China Huaneng Group y China Merchants Group.

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