Brek Electronics ha desarrollado dos inversores de string con su novedosa arquitectura compuesta, optimizada para componentes de carburo de silicio (SiC).
“El diseño reemplaza los condensadores de película con condensadores cerámicos colocables a máquina y utiliza magnetismo planar”, dijo un portavoz de la compañía a pv magazine.
Según el fabricante estadounidense, los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) de SiC tienen una frecuencia de conmutación 20 veces superior a la de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de silicio. Los dos dispositivos tienen potencias de 200 kW y 400 kW. Los componentes de SiC proporcionan al inversor de 400 kW una densidad de potencia de 4 kW/kg, según la empresa.
El Brek IS400 mide 762 mm x 381 mm x 635 mm. Brek estima su peso en 100 kg, pero señala que aún faltan algunas piezas para realizar el cálculo. El dispositivo tiene una eficiencia de hasta el 99%. Tiene una tensión de alimentación de CC de 875 V a 1.500 V y una temperatura ambiente de funcionamiento de -40 ºC a 60 ºC.
El dispositivo IS200 tiene la misma eficiencia y temperatura de funcionamiento, pero mide 381 mm x 381 mm x 635 mm y pesa unos 50 kg. Tiene una entrada de seguimiento del punto de máxima potencia (MPPT), mientras que el IS400 tiene dos. La corriente de entrada CC máxima por MPPT es de 222 A.
Berk afirma que el IS400 tiene una vida útil de unos 15 años y que las pruebas de laboratorio muestran una mejora en el tiempo medio hasta el fallo en comparación con el silicio convencional. Berk afirma que someterá el inversor a las pruebas UL en el cuarto trimestre de 2023. Su lanzamiento está previsto para el primer semestre de 2024.
Su tecnología de arquitectura compuesta basada en carburo de silicio para inversores de cadenas fue una de las finalistas del premio American-Made Solar del Laboratorio Nacional de Energías Renovables de EE.UU. (NREL). Los inversores basados en carburo de silicio son conocidos por tener mayor densidad de potencia y menores costes globales del sistema que los inversores tradicionales. Sin embargo, los defectos en la interfaz entre el carburo de silicio y el material aislante de dióxido de silicio siguen siendo un problema para estos dispositivos.
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